在2022年的中国专利奖评选中，江苏鲁汶仪器股份有限公司（以下简称“鲁汶仪器”）的发明专利“一种能够调节内外压差的气相腐蚀腔体及利用其进行气相腐蚀的方法”荣获第二十三届中国专利优秀奖。

中国专利优秀奖由国家知识产权局与世界知识产权组织共同评选，是我国专利界的重要奖项。本届共评选出791项发明、实用新型专利优秀奖，鲁汶仪器的发明专利荣获表彰。

痕量金属沾污检测是在大硅片生产、集成电路制造、晶圆再生等领域必不可少的品质控制环节。气相分解金属沾污收集系统（Vapor Phase Decomposition，以下简称VPD）搭配电感耦合等离子体质谱仪（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry，简称ICP-MS）是目前业界检测痕量金属沾污的主要手段。

为了兼顾工艺安全性与产能，VPD在结构设计上需要平衡诸多因素。VPD的第一道工序会产生HF、四氟化硅（SiF₄）等剧毒气体，因为需要通过氟化氢（HF）蒸汽在一个密闭的腔室里面腐蚀硅基晶圆的自然氧化层，才能从较为亲水的硅晶圆表面用液态的扫描液收集金属沾污。因此，腔室需要多次以高流量氮气吹扫后，才可进行下一步工序。常规的气相腐蚀腔室采用塑料材质，以兼容HF等腐蚀性蒸汽，但是塑料的韧性和机械强度较低，必须考虑到该塑料材质的腔室在工艺和大流量氮气（＞30SLM）吹扫过程中，不能因为腔室内外压差导致形变而溢出HF等剧毒气体。延长调压时间虽可避免形变，但牺牲了产能。所以，如何快速平衡VPD吹扫时腔室内外压差是本领域亟需解决的难题之一。

鲁汶仪器本次获奖的专利提出了一种智能调节气相腐蚀腔内外压差的腔体，通过腔体抽力控制装置，实现腔室内外压力平衡。通过采用该方法，气相腐蚀腔在大流量氮气吹扫过程中，能够快速调节腔室内外压差，提升了样品处理速度，提高了产能，所以解决了安全和产能提升之间的矛盾，为VPD设备的优化迭代扫除了一大障碍。

此次鲁汶仪器首次获得国家专利优秀奖，是鲁汶仪器在研发创新与知识产权保护工作上的一个里程碑。鲁汶仪器将不断求索、突破，持续为半导体产业带来关键装备与解决方案，助力行业的稳定发展。

关于江苏鲁汶仪器股份有限公司

鲁汶仪器致力于为12英寸及8英寸集成电路制造线提供先进的装备和工艺解决方案。针对逻辑、存储、功率器件、光学、微显示等领域的关键工艺道次，鲁汶仪器研发了一系列12英寸及8英寸等离子体刻蚀系统、薄膜沉积系统，以及气相分解金属沾污收集系统（VPD），为客户提升产能、优化工艺提供稳定可靠的设备与完善的技术支持。