Ganister™ A 系列

8英寸离子束沉积(IBD)设备



系统特性

  • 在低温、超低压工艺模式下,形成高致密优质膜层
  • 双离子源结构(溅射+辅助离子源),辅助源用于清洗与辅助溅射
  • 可高精度控制沉积过程,并能保障批次间的膜层重复性
  • 实时光控设备,用来监控、分析、调整膜层光谱
  • 选配:可在一个腔室内同时实现IBD和离子束刻蚀(IBE)功能
  • 适用于8英寸晶圆






详细介绍

Ganister™ A离子束沉积设备,是针对低温、高致密、高均匀性薄膜沉积工艺所开发的专用产品,在硬盘磁头、硬磁偏置层、布拉格反射镜等器件的制备中有着重要的应用。该设备采用溅射成膜,靶材选择范围广。而其采用的四槽旋转靶材基座,更可处理多达四种靶材。选配的辅助离子源,可以实现原位预清洗、优化膜层致密性等功能。此外,Ganister™ A的辅助离子源也可进行离子束刻蚀,一个腔室内兼备两种工艺,显著提高了该设备的功能。

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