工艺数据

存储器件：MTJ刻蚀

详细介绍

LMEC-300™ 是鲁汶仪器针对特种金属膜层刻蚀而推出的 12 英寸集成设备，应用于新兴存储器件的制备。此类器件的核心功能单元含有成分复杂的金属叠层，例如磁存储器的磁隧道节（MTJ）、相变存储器中的合金相变层、阻变存储器中的阻变叠层。其副产物不易挥发，图形化挑战很大。 LMEC-300™ 独具反应离子刻蚀与离子束刻蚀协同工艺，可规避 RIE 路径的侧壁沾污问题，也可突破 IBS 路径的工艺线宽局限。薄膜沉积腔室可以不脱离真空环境为器件覆盖钝化层，避免侧壁金属氧化、水化，从而改善可靠性。这种 RIE、IBS与原位钝化工艺集成方案，使 LMEC-300™ 成为新兴存储器件关键工艺的优选。