LMEC-200平台刻蚀机


 

【产品介绍】

l 鲁汶仪器专利产品,专为刻蚀过渡金属及非挥发性金属而研制,主要用于磁性存储器MRAM及磁传感器的研发及生产。

l 集成了ICP刻蚀、IBE刻蚀、原位保护等模块,通过配合使用ICP刻蚀模块和IBE刻蚀模块,可避免非挥发性刻蚀残留物,并精确去除在残留物去除工艺中产生的等离子损失层。原位保护模块可以保证磁隧道结在刻蚀之后、在真空环境下即覆盖原位保护层,从而有效的隔离空气,解决了侧壁金属氧化以及水化导致的器件可靠性问题。

【产品特点】

l 同时具备三种处理工艺:ICP刻蚀,IBE刻蚀,原位保护

l 三种工艺切换过程不离开真空环境

l 中央传输机械手马拉松测试,连续万次测试传输无失败

l ICP模块配备独特的电极,对过渡金属和非挥发性金属材料有更高的刻蚀速率,并能够精确控制磁隧道结的刻蚀过程,准确停止在不同的金属层

l IBE模块独特的载片台设计,能够精准控制刻蚀角度和转速优化侧壁形貌,清除侧壁积累

l 原位保护模块配备两级匀气结构,有助于提高薄膜质量

l 适用200mm样品,满足中试需求,也可扩展至300mm机台

l 优选世界一流零部件供应商,确保系统稳定性

l 真空环境具有良好的真空度,保证工艺进程

l 配有干法清洗功能,避免腔室污染

l 配备人机交互功能,自动记录工艺数据、工作日志,自动进行数据监控

l 配有安全互锁功能,发现危险及时报警

l 提供全套的工艺服务

【产品配置及指标】

l 可处理晶圆尺寸:            200mm(可扩展至300mm

l ICP刻蚀模块:                 1套(可选配终点检测系统)

l 原位保护模块:               1

l IBE刻蚀模块:                 1套(可选配终点检测系统)

l 中央传输系统:               1

l 晶圆装载腔:                   2

l 全自动控制系统及软件:1

【主要应用

主要用于磁性存储器MRAM及磁传感器的研发及生产,用于刻蚀过渡金属及非挥发性金属材料,可以加工的材料有:

l 非金属化合物:SiO2Si3N4

l 金属材料:TaRuTiTiNCoPtW

l 金属化合物:TaNCoFeBNiFeMgOAl2O3IrMnHfO

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